prikaz prve stranice dokumenta Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja
Rad nije dostupan
diplomski rad
Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja
2023. urn:nbn:hr:168:916360
Golušin, Leonardo Max
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Citirajte ovaj rad

Golušin, L. M. (2023). Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja (Diplomski rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360

Golušin, Leonardo Max. "Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2023. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360

Golušin, Leonardo Max. "Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2023. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360

Golušin, L. M. (2023). 'Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja', Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 06.05.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360

Golušin LM. Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja [Diplomski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2023 [pristupljeno 06.05.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360

L. M. Golušin, "Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja", Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2023. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360
Prijavite se u repozitorij kako biste mogli spremiti objekt u svoju listu.
Podaci o radu
NaslovDizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja
Naslov (engleski)Design of a class AB microwave amplifier using a AlGaN heterojunction field effect transistor
AutorLeonardo Max Golušin
MentorDubravko Babić (mentor)
Član povjerenstvaDubravko Babić (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaJosip Lončar (član povjerenstva)
Član povjerenstvaTomislav Suligoj (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
Datum i država obrane2023-07-03, Hrvatska
Sažetak
U radu je opisan postupak dizajniranja i verificiranja visokofrekvencijskog pojačala snage klase AB baziranog na HEMT tranzistoru CGHV1F006S. Za potrebe dizajniranja prilagodne mreže korišten je load-pull sustav uz razvijenu C# aplikaciju kako bi se odredila optimalna izlazna impedancija za maksimalno pojačanje. Prilikom dizajniranja prilagodbe bilo je potrebno paziti na udaljenosti između prijenosnih linija, kako ne bi došlo do pojave pozitivne povratne veze i osciliranja. Dizajnirano je pojačalo maksimalne ukupne učinkovitosti od 35% koja je veća od one prikazane u tehničkim specifikacijama tranzistora. Za bolju efikasnost potrebni su bolji uređaji od onih dostupnih.
Sažetak (engleski)
In this work, a method of designing and verifying radiofrequency class AB amplifier based on HEMT transistor CGHV1F006S is described. A load-pull system with custom developed C# application was used to design the matching network for maximum gain. While designing the matching network, it was neccessary to be careful of the distances between the transmission lines so as to not have a positive feedback loop and oscillations. The designed amplifier had a maximum total efficiency of 35% which is larger than the one shown in hte transistor specifications. For better efficiency, better devices than the ones available are neccessary.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:916360
Studijski programNaziv: Informacijska i komunikacijska tehnologija
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: diplomski
Akademski / stručni naziv: magistar/magistra inženjer/inženjerka informacijske i komunikacijske tehnologije (mag. ing. inf. et comm. techn.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Javna napomena
Datum i vrijeme pohrane2023-10-11 08:54:55