prikaz prve stranice dokumenta Analiza rezonantne tunelske diode temeljene na grafenskim nanovrpcama s idealnim rubovima
Rad nije dostupan
završni rad
Analiza rezonantne tunelske diode temeljene na grafenskim nanovrpcama s idealnim rubovima
2020. urn:nbn:hr:168:094857
Mihaljević, Mirko
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Citirajte ovaj rad

Mihaljević, M. (2020). Analiza rezonantne tunelske diode temeljene na grafenskim nanovrpcama s idealnim rubovima (Završni rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:094857

Mihaljević, Mirko. "Analiza rezonantne tunelske diode temeljene na grafenskim nanovrpcama s idealnim rubovima." Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2020. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:094857

Mihaljević, Mirko. "Analiza rezonantne tunelske diode temeljene na grafenskim nanovrpcama s idealnim rubovima." Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2020. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:094857

Mihaljević, M. (2020). 'Analiza rezonantne tunelske diode temeljene na grafenskim nanovrpcama s idealnim rubovima', Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 16.04.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:094857

Mihaljević M. Analiza rezonantne tunelske diode temeljene na grafenskim nanovrpcama s idealnim rubovima [Završni rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2020 [pristupljeno 16.04.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:094857

M. Mihaljević, "Analiza rezonantne tunelske diode temeljene na grafenskim nanovrpcama s idealnim rubovima", Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2020. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:094857

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:094857
Prijavite se u repozitorij kako biste mogli spremiti objekt u svoju listu.
Podaci o radu
NaslovAnaliza rezonantne tunelske diode temeljene na grafenskim nanovrpcama s idealnim rubovima
Naslov (engleski)Analysis of a resonant tunneling diode based on graphene nanoribbons with ideal edges
AutorMirko Mihaljević
MentorMirko Poljak (mentor)
Član povjerenstvaMirko Poljak (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaMarko Koričić (član povjerenstva)
Član povjerenstvaŽeljko Osrečki (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
Datum i država obrane2020-09-15, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Računarstvo
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Elektrotehnika
Sažetak
Grafen je 2D materijal s odličnim elektronskim i transportnim svojstvima, ali mu je mana što nema zabranjeni pojas. Jedan od načina dobivanja zabranjenog pojasa je oblikovanje grafena u nanovrpce (GNR) koje se dobiju ograničavanjem širine na nekoliko nanometara. Kombiniranjem grafenskih nanovrpci različitih širina mogu se realizirati lateralne rezonantne tunelske diode. Za analizu ove strukture korišten je kvantni transport (NEGF) s dva kontakta koja su predstavljena pomoću dva polubeskonačna područja. Razmatrala se promjena strujno-naponskih karakteristika GNR RTD-ova u ovisnosti o TQW i TB, te usporedba karakteristika sa SiNR RTD-ovima. Pokazano je da se povećavanjem duljine jame i barijera mogu dobiti bolje karakteristike kod GNR RTD-ova u odnosu na one kod SiNR RTD-ova.
Sažetak (engleski)
Graphene is a 2D material with excellent electronic and transport properties, but its disadvantage is that it does not have a bandgap. One of the approaches for inducing a bandgap is by shaping graphene into nanoribbons (GNR) which are obtained by limiting the width to a few nanometers. By combining graphene nanoribbons of different widths, resonant tunneling diodes can be realized. Quantum transport (NEGF) with two contacts represented by two semi-infinite domains was used to analyze the GNR RTD structures. The change of GNR RTD performance characteristics depending on TB and TQW was analyzed, as well as the comparison with SiNR RTD. It has been shown that by increasing the well and barrier length, better device properties can be obtained with GNR RTDs in comparison to SiNR RTDs.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:094857
Studijski programNaziv: Elektrotehnika i informacijska tehnologija
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: preddiplomski
Akademski / stručni naziv: sveučilišni/a prvostupnik/ prvostupnica (baccalaureus/baccalaurea) inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (univ. bacc. ing. el. techn. inf.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Javna napomena
Datum i vrijeme pohrane2023-01-14 09:32:50